1. 2N4124BU
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厂商型号

2N4124BU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor General Purpose

内部编号

3-2N4124BU

#1

数量:55407
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

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#3

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500+¥0.1541
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2N4124BU产品详细规格

规格书 2N4124BU datasheet 规格书
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 120 @ 2mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.2
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 300(Min)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
最大集电极发射极电压 25
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 120@2mA@1V|60@50mA@1V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 120 @ 2mA, 1V
其他名称 ECG123AP
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :25V
功耗 :625mW
Transistor Case Style :TO-92
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :300mV
Current Ic Continuous a Max :50mA
Gain Bandwidth ft Typ :300MHz
Hfe Min :120
端接类型 :Through Hole
Weight (kg) 0.00001
Tariff No. 85412900

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